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J-GLOBAL ID：200903011002483219

磁気薄膜メモリ

Inventor： 尾上 正樹 ,  池田 貴司 ,  西村 直樹
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000294089
Publication number (International publication number)：2002100182
Application date： Sep. 27, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高記録密度を実現することができる、垂直磁化膜を用いた磁気薄膜メモリを提供する。【解決手段】 j行k列のメモリ素子403は、(j+1)行の書き込み線と(k+1)列目の書き込み線とが交差する位置に重なるように配設されている。ただしjは、1からnまでの整数であり、kは1からmまでの整数である。こうすることによって、各メモリ素子403間の間隔を狭くして、高い記録密度を実現することができる。

Claim (excerpt)：

垂直磁気異方性を示す2つの強磁性層の間に非磁性層が形成されたサンドイッチ構造となっている垂直磁化膜であるメモリ素子をn行m列(n、mは自然数)に配置する磁気薄膜メモリにおいて、(n+2)行の書き込み線と(m+2)列の書き込み線とを有し、前記各メモリ素子のうちのj行k列(jは1以上n以下の自然数、kは1以上m以下の自然数)のメモリ素子は(j+1)行の書き込み線と(k+1)列の書き込み線とが交差する位置に配置されていることを特徴とする磁気薄膜メモリ。

IPC (7)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (7)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (9)：

5E049AA01 ,  5E049BA08 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38