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J-GLOBAL ID：200903011024314496

GaN単結晶基板及びその製造方法

Inventor： 元木 健作 ,  西本 達也 ,  岡久 拓司 ,  松本 直樹
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998171276
Publication number (International publication number)：2000012900
Application date： Jun. 18, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【目的】 面積が広く反りが少なく自立できるGaN単結晶基板を提供すること。【構成】 GaAs(111)基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、HVPE法またはMOC法により低温でGaNバッファ層を形成し、HVPE法により高温でGaNエピタキシャル層を厚く形成し、GaAs基板を除去する。GaNの自立膜を種結晶としてHVPE法でGaNを厚付けしGaNインゴットを作る。これをスライサーによって切断して透明無色の反りの少ないGaNウエハを作る。

Claim (excerpt)：

20mm以上の直径を有し、0.07mm以上の厚さを有し、自立している事を特徴とするGaN単結晶基板。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/30

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

F-Term (32)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077BE15 ,  4G077EB01 ,  4G077EH05 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ03 ,  4G077FJ05 ,  4G077HA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77 ,  5F052AA17 ,  5F052AA18 ,  5F052CA04 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052GB06 ,  5F052GB09 ,  5F052HA01 ,  5F052HA08 ,  5F052JA07 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB06 ,  5F073CB07 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35