Pat

J-GLOBAL ID：200903011024707099

臭いセンサ

Inventor： 小川 芳孝 ,  野田 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社三陽電機製作所
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998151325
Publication number (International publication number)：1999344457
Application date： Jun. 01, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】 省電力で小型、かつ連続使用が可能なものとする。【解決手段】 絶縁基板21上に電極22,23が形成され、これら電極22,23間に酸化ニッケルなどの金属酸化物半導体層24が形成され、その上にチタン酸ニッケルなどの金属酸化物絶縁膜25が形成され、さらにその上に酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウムなどの感応膜26が形成されている。同様構造で感応膜26に臭いガスにほとんど感応しない参照膜29が形成された参照素子31が形成され、その検出値の差をとることにより、経年変化による影響が除かれる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、上記絶縁基板上に間隔を持って形成された一対の電極と、その両電極間にまたがって形成された金属酸化物半導体層と、上記金属酸化物半導体層上に形成された金属酸化物絶縁膜と、その金属酸化物絶縁膜上に形成された臭いガス感応性金属酸化物膜と、を具備する臭いセンサ。