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J-GLOBAL ID：200903011029961007

面発光素子およびその製造方法

Inventor： 栗原 香
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993014548
Publication number (International publication number)：1994232494
Application date： Feb. 01, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗でかつ、発光効率の高い面発光素子を実現する。【構成】 面発光レーザ基板においてp型半導体多層反射膜6を素子サイズにエッチングし、メサ10を形成する。その後、メサの直上にメサより大きいディスク状のイオン注入用マスクを形成する。その後、ウェハの斜め上方から不純物原子を垂直方向からの角度76度の条件でウェハを回転させながら注入する。その後、下部に光を取り出すための窓を開けたn型電極13を形成した後、メサと電流注入領域を覆う大きさのp型電極14を形成する。

Claim (excerpt)：

選択的にエッチングされた上部半導体多層反射膜と、活性層を含む中間層と、下部半導体多層反射膜と、前記上部半導体多層反射膜およびその周囲を覆うように形成された電極と、電流狭搾のための高抵抗領域とを有する面型発光素子において、前記高抵抗領域は、表面では前記上部半導体多層反射膜よりも広い幅を有し、活性層の深さでは上部半導体多層反射膜と同じ幅にまで狭められた摺鉢状の形状を持つことを特徴とする面型発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-017382
  
• 特開平3-190181
  
• 特開平2-237088