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J-GLOBAL ID：200903011037066068

半導体装置

Inventor： 菅 孝 ,  若田部 勝
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991188176
Publication number (International publication number)：1993013784
Application date： Jul. 02, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 順方向及び逆方向特性を劣化させることなく、スイッチング特性を大幅に改善した一導電型半導体領域2と逆導電型半導体領域3の整流接合をもつ半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 逆導電型半導体領域3で取り囲むか、狭むように形成したキャリア電荷の通路を設け、その通路内に半導体又は金属から成るキャリア電荷の捕獲領域4をキャリア電荷の拡散長以内の位置に設け、かつ、その捕獲領域4を浮遊電位状態に保持する。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体領域に接し逆導電型半導体領域を設けて整流主接合を形成した半導体装置において、逆導電型半導体領域で取り囲むか、又は、狭むように形成したキャリア電荷の通路を設け、該通路の内部又は表面に正孔に対する低いポテンシャルをもつ半導体、又は金属から成るキャリア電荷の捕獲領域を設け、該捕獲領域と該逆導電型半導体領域の距離及び該通路の間隔をキャリア電荷の拡散長以内にすると共に、該捕獲領域を浮遊電位状態に保持するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/91 ,  H01L 21/322