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J-GLOBAL ID：200903011039674006

強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： ピジュッシュ バタチャリヤ ,  米田 忠弘 ,  朴 慶浩 ,  西岡 泰城
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993275639
Publication number (International publication number)：1995176704
Application date： Nov. 04, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、SrTiO3 または(Ba、Sr)TiO3 の結晶構造を制御することができる強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 本発明は、Pt102が付着されたシリコン基板100を約300度に保持し、次いで、基板上に(Ba、Sr)TiO3 のアモルファス膜104を付着し、次いで、基板を約620度の温度に保持し、酸素雰囲気中でアニールする。

Claim (excerpt)：

基板上に強誘電体薄膜を製造する方法であって、上記基板を上記強誘電体薄膜の結晶温度以下の一定温度に保持し、上記強誘電体のアモルファス膜を上記基板上に付着し、上記基板を上記結晶温度以上の一定温度に保持する工程を有する強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04