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J-GLOBAL ID：200903011042434539

半導体装置の酸化膜の評価方法および評価装置

Inventor： 池田 清
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996206834
Publication number (International publication number)：1998050783
Application date： Aug. 06, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 操作性に優れ、短時間の測定が可能であり、かつ広い面積にわたる測定が容易な、半導体基盤上に形成された酸化膜の評価方法および評価装置を提供する。【解決手段】 水銀3を滴装するプローブ2を用いて水銀3を半導体基盤50上に形成された酸化膜51の被評価部分に接触させて電極となし、電極から得る電気信号に基づいて被評価部分の特性を評価する、半導体基盤50上に形成された酸化膜51の評価方法において、プローブ2の水銀3が酸化膜51に接触した状態を維持しつつ、プローブ2を半導体基盤50上で連続的に移動させることにより、大面積の酸化膜51を連続的に測定して評価する構成とする。

Claim (excerpt)：

水銀を滴装するプローブを用いて前記水銀を半導体基盤上に形成された酸化膜の被評価部分に接触させて電極となし、前記電極から得る電気信号に基づいて前記被評価部分の特性を評価する、半導体基盤上に形成された酸化膜の評価方法において、前記プローブの前記水銀が前記酸化膜に接触した状態を維持しつつ、前記プローブを前記半導体基盤上で連続的に移動させることにより、大面積の酸化膜を連続的に測定して評価する構成とされたことを特徴とする半導体装置の酸化膜の評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/00 ,  G01R 1/06

FI (3)：

H01L 21/66 Q ,  G01N 27/00 Z ,  G01R 1/06 F