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J-GLOBAL ID：200903011043494330

光電変換素子の製造方法、光電変換素子、電子装置の製造方法、電子装置、半導体微粒子層の形成方法および積層構造体

Inventor： 榎本 正 ,  本多 俊夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 杉浦 正知 ,  森 幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003108075
Publication number (International publication number)：2004319130
Application date： Apr. 11, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】金属酸化物膜上に半導体微粒子からなる半導体電極をその金属酸化物膜の溶出を防止しつつ、しかも低温プロセスで良好に形成することができる光電変換素子の製造方法および光電変換素子を提供する。【解決手段】半導体微粒子からなる半導体電極と対極となる金属膜とを有する光電変換素子において、ITOなどの金属酸化物からなる透明電極12上にポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)/ポリスチレンスルホン酸(PSS)膜13をスピンコートなどにより製膜した後、その上に酸化チタン微粒子などからなる半導体微粒子層14を半導体微粒子分散液をスピンコートすることにより形成する。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

金属酸化物膜上に半導体微粒子からなる半導体電極を有する光電変換素子の製造方法において、 上記金属酸化物膜上に、

IPC (2)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (10)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20