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J-GLOBAL ID：200903011046445365

半導体装置の製造方法

Inventor： 曽谷 直哉
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000235349
Publication number (International publication number)：2002050576
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】良質な結晶化膜を歩留まりよく形成することができるとともに、結晶化工程における昇降温時に非晶質膜に作用する応力を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板101上に、数%以上の弾性変形が可能な超弾性材料を含む吸収膜103を形成する工程と、ガラス基板101上に非晶質シリコン膜105を形成する工程と、吸収膜103に電磁波を照射することにより吸収膜103を発熱させ、その熱を利用して非晶質シリコン膜105を結晶化する工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

基板上に非晶質膜を形成する工程と、前記基板上に、超弾性材料を含む吸収膜を形成する工程と、前記吸収膜に電磁波を照射することにより前記吸収膜を発熱させ、その熱を利用して前記非晶質膜を結晶化する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (29)：

5F052AA02 ,  5F052AA22 ,  5F052AA24 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB06 ,  5F052CA01 ,  5F052CA04 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052EA12 ,  5F052EA13 ,  5F052JA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP11 ,  5F110QQ11