Pat

J-GLOBAL ID：200903011068398220

レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  前田 一彦 ,  小森谷 治彦 ,  山中 一広
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003301500
Publication number (International publication number)：2005070531
Application date： Aug. 26, 2003
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物と、式(2)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物とを含有してなるレジスト材料。 【化1】(R1、R2はH又は酸不安定基、0.3≦a+b≦1、R3は酸不安定基、R4、R5はH、アルキル基、又は酸不安定基、R6はH、アルキル基、又は酸不安定基、X1は単結合、メチレン基又はエチレン基、0<c+d<0.8、0<e+f<0.8、0.5≦c+d+e+f≦1。)【効果】 本発明のレジスト材料は、レジストの透明性とアルカリ溶解コントラストが向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物と、下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物とを含有してなるレジスト材料。

IPC (2)：

G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (2)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (16)：

2H025AA01 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 特公平2-27660号公報
  
• 特開昭63-27829号公報
  
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-050264   Applicant：富士通株式会社
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-049956   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• レジスト組成物およびその利用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-063775   Applicant：日本ゼオン株式会社
• 国際公開第97/33198号パンフレット
  

Cited by examiner (2)

• 含フッ素化合物とその高分子化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-279778   Applicant：セントラル硝子株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-167293   Applicant：信越化学工業株式会社