Pat
J-GLOBAL ID：200903011070568346
化合物半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071000
Publication number (International publication number)：1993275475
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 特性、歩留り、外部回路とのインピーダンス整合の良好なGaAsMESFET、GaAs HEMT等の化合物半導体装置を提供する。。【構成】 絶縁膜の段差部分(19)に形成された片傘構造のゲート電極(25)と、該ゲート電極(25)の絶縁膜の段差部分(19)にセルフアラインにより隣接して形成されたソース電極(22)とを具備することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
絶縁膜の段差部分に形成された片傘構造のゲート電極と、該ゲート電極の前記絶縁膜の段差部分にセルフアラインにより隣接して形成されたソース電極とを具備することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
