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J-GLOBAL ID：200903011072384560

スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム

Inventor： ロバート・エドワード・フォンタナ、ジュニア ,  ブルース・アルヴィン・ガーニー ,  ツァン・リン ,  ヴァージル・サイモン・スペリオース ,  チン・ホワ・ツァン ,  デニス・リチャード・ウィルホイト
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996150826
Publication number (International publication number)：1997016920
Application date： Jun. 12, 1996
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【課題】 耐食性で、ブロッキング温度の高い反強磁性層を有するスピン・バルブ磁気抵抗(SVMR)センサを提供する。【解決手段】 本発明のSVMRセンサは、積層逆平行(AP)ピン止め層を改良型反強磁性(AF)交換バイアス層と組み合わせて使用する。このピン止め層は、非磁性結合フィルムによって分離された2枚の強磁性フィルムを備え、この2枚の強磁性フィルムの磁化は、逆平行配向で互いに反強磁性的に強く結合し、SVMRセンサの自由層を回転させる程度の小さい励磁において磁気的に強固である。この2層の強磁性層の磁気モーメントがほとんど同じであるとき、ピン止め層の正味磁気モーメントは小さいがそれに反比例する交換磁界は相応に大きくなる。ピン止め層は、酸化ニッケルなどの高耐食性であるが従来のSVMRセンサ中で使用するには交換異方性が低すぎるAF材料によってその磁化がピン止めされる。

Claim (excerpt)：

非磁性材料のスペーサ層によって分離された強磁性材料の第1層および第2層であって、強磁性材料の前記第1層の磁化方向がゼロ印加磁界のとき強磁性材料の前記第2層の磁化方向に対してある角度をなし、強磁性材料の前記第2層が、第1および第2の強磁性フィルムと、第1の強磁性フィルムと第2の強磁性フィルムの間にそれらと接触して配置され、その磁化が相互に逆平行に整列され印加磁界の存在下で逆平行に含まれるように第1の強磁性フィルムと第2の強磁性フィルムを反強磁性的に結合するための非磁性の逆平行結合フィルムとを備える強磁性材料の第1層および第2層と、酸化ニッケル(Ni1-xCox)O(xは0.0〜0.5)、(Fe-Mn)合金およびCrよりなるグループから選択された反強磁性材料の交換バイアス層であって、印加磁界の存在下で前記第2強磁性層中の前記強磁性フィルムのうちの一枚の磁化を固定された方向に維持するように前記交換バイアス層が前記強磁性フィルムのうちの一枚に隣接しかつ接触し、それによって印加磁界の存在下で前記第1強磁性層の磁化は自由に回転するが、前記第2強磁性層中の第1と第2の強磁性フィルムの磁化方向は固定され互いに逆平行のままとなる、反強磁性材料の交換バイアス層とを備える磁気抵抗センサ。