Pat
J-GLOBAL ID：200903011078428470

高い臨界温度を持つ超伝導材料を備えた超伝導体とその製造方法並びにこの超伝導体を備えた電流制限装置

Inventor：
リース、ギュンター

About リース、ギュンター


Applicant, Patent owner：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

About シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト


Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000525935
Publication number (International publication number)：2001527298
Application date： Dec. 07, 1998
Publication date： Dec. 25, 2001
Summary：
【要約】電流を所定の方向に通す超伝導体(10)は金属製の基板(11)並びにこの基板に析出された電気的に絶縁性の少なくとも1つの中間層(12)と、この中間層に析出された、高い臨界温度の超伝導体層(13)とを備えた少なくとも1つの導電路(L)を備える。この導電路(L)はその超伝導体層(13)と基板(11)との間に、電流の流れ方向に延びて、超伝導体層と基板との電気的な並列接続のための、少なくとも1つの接続部(15a、15b)を有する。この超伝導体は特に電流制限装置用として使用される。
Claim (excerpt)：
金属材料からなる基板、並びにこの基板の上に配置され、前記基板に析出された電気的絶縁材料からなる少なくとも1つの中間層と、この中間層の上に析出され、高い臨界温度を持つ超伝導材料からなる少なくとも1つの超伝導体層とを含む導電路を少なくとも備え、この導電路(L、L’)の超伝導体層(13、23、33)と基板(11)との間にこの導電路に付属し、電流の通流方向に延び、これにより超伝導体層を基板と電気的に並列に接続する少なくとも1つの導電性の導電路接続部が形成されていることを特徴とする1つの所定の方向に電流を通すための超伝導体。
IPC (2)：
H01L 39/16 ZAA ,  H02H 9/02 ZAA
FI (2)：
H01L 39/16 ZAA ,  H02H 9/02 ZAA B
F-Term (7)：
4M114AA10 ,  4M114AA14 ,  4M114AA29 ,  4M114BB10 ,  4M114CC02 ,  5G013BA01 ,  5G013CA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM