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J-GLOBAL ID：200903011078966405

化合物半導体の選択成長方法

Inventor： 小林 隆二 ,  堀田 等
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994083267
Publication number (International publication number)：1995297134
Application date： Apr. 21, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 HCl添加MOVPE法による少なくともAlとInを含むIII-V族化合物半導体の選択成長において、選択成長される化合物半導体組成が2インチウエハ内で均一性が優れ、かつ、その組成制御の再現性が高い選択成長方法を提供する。【構成】 HCl添加MOVPE法による少なくともAlとInを含んだIII-V族化合物半導体の選択成長において、III族有機金属原料の全供給量に対するHCl供給量の比率([HCl供給量]/[III族供給量])を0.01以上0.3以下にすることにより、選択性を維持して成長層の組成がAl過剰になり過ぎるのを抑制し、組成の制御を容易にする。

Claim (excerpt)：

表面の一部を絶縁膜で覆った半導体基板上にHClとIII族有機金属原料とV族原料を供給して、少なくともAlとInを含むIII-V族化合物半導体を結晶成長する方法において、前記III族有機金属原料の全供給量に対するHCl供給量の比率([HCl供給量]/[III族供給量])を0.01以上0.3以下として、前記絶縁膜で覆われていない基板表面だけに選択的に成長させることを特徴とする化合物半導体の選択成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C30B 25/14