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J-GLOBAL ID：200903011079005476
半導体多層薄膜膜厚測定装置およびその測定方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993148839
Publication number (International publication number)：1995004922
Application date： Jun. 21, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 サブミクロンの膜厚の多層薄膜の膜厚の各層の膜厚を、正確かつ安定に、非破壊・非接触で測定できる半導体多層薄膜測定装置およびその測定方法を得る。【構成】 空間干渉波形の波形解析から得られた半導体装置の各膜厚測定値を初期値として、理論的干渉スペクトル計算手段1008により反射光の波数分散(波長分散)スペクトルの膜干渉波形を光学的特性マトリックスを用いた数値計算により求め、再計算手段1009によりこれを実測値と波形フィッティングし、その際膜厚の概算値を故意に変化させながら理論的干渉スペクトルを再計算させることにより、さらに高精度な各膜厚を得るようにした。
Claim (excerpt)：
可視光から赤外域の波数域の光を半導体多層膜に照射し、その反射光中の膜干渉成分をフーリエ変換して得られる空間干渉波形の波形解析から各膜厚を測定するフーリエ変換多層膜厚測定方法を用いて半導体装置の多層膜厚を測定する装置において、上記空間干渉波形の波形解析から得られた各膜厚測定値を初期値として、反射光の波数分散スペクトルまたは波長分散スペクトルの膜干渉波形を光学的特性マトリクスを用いた数値計算により求め、これを実測値と波形フィッティングしてさらに高精度の各膜厚を得るデータ処理装置を備えたことを特徴とする半導体多層薄膜膜厚測定装置。
IPC (2)：
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