プラズマ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：浅井章弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993140029
Publication number (International publication number)：1994333849
Application date： May. 19, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】接地を強化してインピーダンスの安定を早期に図ることができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】相対向させて配置した2つの電極4、6のいずれかに被処理体Wを保持させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、少なくともいずれか一方の電極の近傍に、絶縁体40を介在させて接地強化用の接地電極42を形成する。これにより、不要な電荷を積極的に吸収してプラズマの安定化を図る。

Claim (excerpt)：

相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、前記電極との間に絶縁体を介在させて接地強化用の接地電極を形成するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/205 , C23C 14/34 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/31 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭62-173723
特開昭57-060073
特開平2-003914

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