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J-GLOBAL ID：200903011082351903

半導体装置の製造方法

Inventor： 小栗 裕之 ,  横山 照夫 ,  鈴木 雅久
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994255450
Publication number (International publication number)：1996124900
Application date： Oct. 20, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プラズマガスにより半導体層等を選択的にドライエッチングして半導体層等に溝や開口を形成する半導体装置の製造方法に関し、スループットを低下させることなく、寸法精度良く、より微細な溝や開口を形成する。【構成】 第1の開口28を有する無機材料膜24aを被エッチング層23上に形成する工程と、第1の開口28全体の上にあって、第1の開口28よりも開口幅が広い第2の開口32を有する有機材料膜30を無機材料膜24aの表面上に形成する工程と、被エッチング層23とエッチング種との間に電位差を作って第1の開口28を通して被エッチング層23をドライエッチングすることを含む。

Claim (excerpt)：

第1の開口を有する無機材料膜を被エッチング層上に形成する工程と、前記第1の開口全体の上にあって、前記第1の開口よりも開口幅が広い第2の開口を有する有機材料膜を前記無機材料膜の表面上に形成する工程と、前記被エッチング層とエッチング種との間に電位差を作って前記第1の開口を通して前記被エッチング層をドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/314

FI (2)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平2-015632
  
• 特開平1-181532
  
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-351306   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-317320
  

Cited by examiner (3)

• 特開平2-015632
  
• 特開平1-181532
  
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-351306   Applicant：ソニー株式会社