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J-GLOBAL ID：200903011106462868
半導体光電陰極及び光電管
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994231317
Publication number (International publication number)：1996096705
Application date： Sep. 27, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 量子効率を向上させるとともに長波長吸収端をシャープ化させ、高感度化を達成する半導体光電陰極及び光電管を提供する。【構成】 入射光の受容によって励起した光電子を放出する半導体光電陰極10は、p型Ga<SB>1-X </SB>Al<SB>X </SB>N(0<x<1)から形成された光吸収層34と、この光吸収層34上にp型GaNから形成された光電子放出層35と、この光電子放出層35上にアルカリ金属またはその酸化物から形成された表面層36とから構成されている。ここで、光電子放出層35は光吸収層34のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、表面層36は光電子放出層35の伝導帯よりも低い真空準位を有することから、エネルギーダイアグラムにおける伝導帯のエネルギー準位は光吸収層34から光電子放出層35を介して表面層36に向かって低下している。
Claim (excerpt)：
入射光の受容によって励起した光電子を放出する半導体光電陰極において、p型Ga<SB>1-X </SB>Al<SB>X </SB>N(0<x<1)から形成され、前記入射光を吸収して前記光電子を励起させる光吸収層と、この光吸収層上にp型GaNから形成され、前記光電子を当該光吸収層からドリフトさせる光電子放出層と、この光電子放出層上にアルカリ金属またはその酸化物から形成され、前記光電子を当該光電子放出層からドリフトさせて外部に放出する表面層とを備えることを特徴とする半導体光電陰極。
IPC (3)：
H01J 1/34
, H01J 29/45
, H01J 40/06
