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J-GLOBAL ID：200903011106706643

シリサイド膜の作製方法

Inventor： 坂本 仁志 ,  中野 浩児 ,  堀江 哲弘
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213474
Publication number (International publication number)：1997059013
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 シリサイド組成の連続的な制御も可能にするシリサイド膜の作製方法を提供しようとするものである。【解決手段】 差動排気系を有する電子線源を備えた真空反応容器に成長用基板を収容し、金属ハロゲン化物ガスと、シリコン水素化物ガスを独立した分子線として前記基板上に供給することを特徴とするシリサイド膜の作製方法である。

Claim (excerpt)：

差動排気系を有する電子線源を備えた真空反応容器に成長用基板を収容し、金属ハロゲン化物ガスと、シリコン水素化物ガスを独立した分子線として前記基板上に供給し、電子線を照射してシリサイド膜を成長することを特徴とするシリサイド膜の作製方法。

IPC (5)：

C01B 33/06 ,  B01J 19/12 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/285 301

FI (5)：

C01B 33/06 ,  B01J 19/12 G ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/285 301 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-093380
  
• 特開昭63-177413
  
• 特開昭62-093380
  
• 特開昭63-177413