Pat
J-GLOBAL ID：200903011111391421
モノリシック集積されたトレンチMOSFET及びショットキー・ダイオード
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000601676
Publication number (International publication number)：2002538602
Application date： Feb. 10, 2000
Publication date： Nov. 12, 2002
Summary：
【要約】高いパフォーマンスのトレンチド・ゲートMOSFETと共にモノリシック集積されたショットキー・ダイオード。MOSエンハンスド・ショットキー・ダイオード構造がMOSFETスイッチのパフォーマンス特性を強化するためにトレンチMOSFETセル・アレー全般にわたり間隔を置いて配置される。ショットキー構造の低い障壁高の利点を利用して、順方向電圧降下を小さくする。特定の一実施例では、ショットキー・ダイオードの逆電圧容量を増加するために、ショットキーのドレイン領域におけるデプリーションが隣接するMOS構造により影響され、かつ制御されるように、トレンチの幅が調整される。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に電界効果トランジスタとショットキー・ダイオードとを組み合わせたモノリシック集積構造において、 前記基板に延伸して導電材料によりほぼ充填され、前記電界効果トランジスタのゲート電極を形成する第1のトレンチと、 前記トレンチに隣接すると共にその反対側に配置され、かつドープされたボディー領域内に配置された一対のドープされたソース領域であって、前記電界効果トランジスタのソース電極を形成し、かつ前記基板が前記電界効果トランジスタのドレイン電極を形成している前記ドープされたソース領域と、 前記基板の表面上、及び前記基板に延伸する一対の隣接するダイオード・トレンチ間に形成された障壁層を有するショットキー・ダイオードとを備え、前記一対の隣接するダイオード・トレンチが導電材料によってほぼ充填され、かつ距離Wにより分離されているモノリシック集積構造。
IPC (7)：
H01L 29/78 657
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78 653
, H01L 21/28 301
, H01L 21/8234
, H01L 27/06
, H01L 29/872
H01L 29/78 657 D
, H01L 29/78 652 S
, H01L 29/78 653 A
, H01L 21/28 301 A
, H01L 29/48 M
, H01L 27/06 102 A
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB14
, 4M104BB30
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104CC05
, 4M104FF01
, 5F048AC10
, 5F048BA02
, 5F048BB01
, 5F048BC12
, 5F048BD07
, 5F048BD09
, 5F048BF02
, 5F048BF07
