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J-GLOBAL ID：200903011113947818

化合物半導体装置の製造方法

Inventor： 山崎 肇 ,  石橋 忠夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993109317
Publication number (International publication number)：1994326118
Application date： May. 11, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、長時間安定な高抵抗層形成と、ベース・コレクタ容量の低減ができ、高周波特性を向上し得る化合物半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、半絶縁性GaAs化合物半導体基板上にn+ -GaAs層もしくはn+ -AlGaAs層をエピタキシャル成長させる第1の工程と、酸素イオンあるいは硼素イオンを選択注入する第2の工程と、n-GaAs層をエピタキシャル成長させる第3の工程と、p+ -GaAs層とn-AlGaAs層をエピタキシャル成長させる第4の工程と、n+ -GaAs層もしくはn+ -GaAs層とn+ -InGaAs層をエピタキシャル成長させる第5の工程と、不要部分を除去するメサ工程よりなる第6の工程と、電極を形成する第7の工程とを具備して構成する。

Claim (excerpt)：

半絶縁性GaAs化合物半導体基板上にn+ -GaAs層もしくはn+ -AlGaAs層をエピタキシャル成長させる第1の工程と、酸素イオンあるいは硼素イオンを選択注入する第2の工程と、n-GaAs層をエピタキシャル成長させる第3の工程と、p+ -GaAs層とn-AlGaAs層をエピタキシャル成長させる第4の工程と、n+ -GaAs層もしくはn+ -GaAs層とn+ -InGaAs層をエピタキシャル成長させる第5の工程と、不要部分を除去するメサ工程よりなる第6の工程と、電極を形成する第7の工程とを具備することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/76