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J-GLOBAL ID：200903011114517418

発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： 石黒 茂之 ,  海野 恒弘 ,  佐藤 豊彦 ,  今野 泰一郎
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996164818
Publication number (International publication number)：1998012917
Application date： Jun. 25, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】エピタキシャル層厚を薄くして大電流域での発光出力の低下を防止するとともに、薄くしたエピタキシャル層を機械的に補強して製造プロセス中のウェハの割れを低減する。【解決手段】GaAs基板8上にp型AlGaAsウインドウ層3、p型AlGaAs活性層4、n型AlGaAsクラッド層5を順次成長してダブルヘテロ構造のpn接合を有するエピタキシャルウェハ13を形成する。このときクラッド層5を薄くしてエピタキシャル層12全厚を100μm以下に抑える。ウェハ13のクラッド層5上に部分電極1と反射膜2を形成した後に、この部分電極1と反射膜2上にAu-Sn共晶合金6を介して金属板7を貼り付ける。金属板7を貼り付けて、ウェハを補強してからGaAs基板8を研磨除去をする。

Claim (excerpt)：

クラッド層、活性層、ウインドウ層でダブルヘテロ構造のpn接合を形成したエピタキシャル層を有し、活性層で発生した光のうちクラッド層側に向かった光をクラッド層の表面で反射してウインドウ層側から取り出すようにした裏面反射型の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層のクラッド層側に補強用の金属板が貼り付けられている発光ダイオード。