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J-GLOBAL ID：200903011126160388

ビーム強度可変シャッター、それを用いた超格子の作製方法およびドーピング方法

Inventor： 大川 和宏 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993112845
Publication number (International publication number)：1994326295
Application date： May. 14, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 瞬時にビーム強度を変化させることを可能とし、しかも1つのビーム源から複数のビーム強度を得ることができるシャッターの提供を目的とする。また、組成比の異なる層で構成される超格子をMBE法で作製する場合や、異なる不純物濃度を有する層作製する場合、装置的には簡便でしかも瞬時に所望の超格子の製造方法や、ドーピング方法の提供を目的とする。【構成】 ビーム強度を変化させたいセル23、24、25と基板32の間に所望の透過率を有するシャッター11を挿入することによって、ビーム強度を変化させ、シャッター11の有無で超格子あるいは不純物濃度の異なる領域を作製するものである。

Claim (excerpt)：

分子線エピタキシー装置あるいは真空蒸着装置の何れかに用いるシャッターであって、基板と原料蒸発源との間で、前記原料蒸発源から前記基板への原料ビームの通過経路に出入りし、かつ、前記原料ビームの一部が通過できる穴もしくはスリットの何れかを有することを特徴とするビーム強度可変シャッター。

IPC (4)：

H01L 29/00 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18