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J-GLOBAL ID：200903011129067605
半導体発光素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998047694
Publication number (International publication number)：1999251629
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】LEDやLD等の半導体発光素子を製造するに際して、光取出面に好適な荒れ面を再現性よく形成する方法を提供する。【解決手段】LEDを製造するに際して、エッチング処理工程において、光取出面を硝酸および酢酸を含むエッチング液でエッチング処理することにより、その光取出面が所定粗さに加工される。そのため、酢酸が減速剤として機能することから、硝酸を含むエッチング液によるエッチング速度がその酢酸の混合割合に応じて低下させられる。このとき、水で希釈した場合のようなエッチング速度の低下に伴う凹凸の微小化は生じ難い。したがって、エッチング速度を十分に低下させ且つ十分な大きさの凹凸を形成し得るため、光取出面に好適な荒れ面を再現性よく形成して光出力を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
基板上に発光層を含む複数の半導体層が結晶成長により積層されて成り、該発光層で発生した光を素子表面の一部に設けられた光取出面から射出する形式の半導体発光素子の製造方法であって、前記光取出面を硝酸および酢酸を含むエッチング液でエッチング処理することにより所定粗さに加工する表面処理工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
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特開昭62-054485
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特開昭62-054485
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