Pat
J-GLOBAL ID：200903011135257173
振動式トランスデューサとその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡辺 正康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996223882
Publication number (International publication number)：1998070287
Application date： Aug. 26, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜が保護され、ドリフトが防止出来、振動ゲートの付着を防止し得る振動式トランスデューサとその製造方法を提供するにある。【解決手段】 両端が基板に固定された振動ゲートの共振周波数を測定する事により振動ゲートの両端に加えられた歪を測定する振動式トランスデューサとその製造方法において、第1の伝導形式を有する半導体の基板と、基板の表面に形成され前記伝導形式とは逆の第2の伝導形式を有するドレインとソースにより挟まれたチャネルと、基板の表面上に形成されたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜の上を覆うポリシリコン保護膜と、ポリシリコンよりなり変位可能なようにポリシリコン保護膜の表面から間隙を保持して両端が基板に固定されドレインとソースとチャネルとを覆って配置され自励発振によりドレインとの間に生じる静電力により変位する板状の導電性の振動ゲートとを具備したことを特徴とする振動式トランスデューサとその製造方法である。
Claim (excerpt)：
両端が基板に固定された振動ゲートの共振周波数を測定する事により該振動ゲートの両端に加えられた歪を測定する振動式トランスデューサにおいて、第1の伝導形式を有する半導体の基板と、該基板の表面に形成され前記伝導形式とは逆の第2の伝導形式を有するドレインとソースにより挟まれたチャネルと、前記基板の表面上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜の上を覆うポリシリコン保護膜と、ポリシリコンよりなり変位可能なように該ポリシリコン保護膜の表面から間隙を保持して両端が前記基板に固定され前記ドレインとソースとチャネルとを覆って配置され自励発振により該ドレインとの間に生じる静電力により変位する板状の導電性の振動ゲートとを具備したことを特徴とする振動式トランスデューサ。
IPC (4)：
H01L 29/84
, G01L 1/10
, G01L 9/00
, H01L 29/78
H01L 29/84 C
, G01L 1/10 Z
, G01L 9/00 C
, H01L 29/78 301 J
Cited by applicant (6)
Show all
Return to Previous Page
