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J-GLOBAL ID：200903011148555343

炭化ホウ素の製造方法

Inventor： 新原 皓一 ,  楠瀬 尚史 ,  世登 裕明
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002082176
Publication number (International publication number)：2003277039
Application date： Mar. 22, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：

【要約】【課題】 従来の加熱還元法やCVD法による炭化ホウ素の製造では、不純物が混在し、収率も低く、結晶化度や粒径を制御したもの、不純物をドーピングしたもの、ナノ粒子、ナノ複合材料などが安価で容易に得られない。【構成】 炭素源としての糖類とホウ素源としてのホウ酸または酸化ホウ素を溶媒中に溶解した後、該溶媒を除去して炭素源とホウ素源の混合粉末を形成し、該粉体を200°C〜1100°Cで加熱反応させてB-O-Cの結合体からなる非晶質体を生成させ、続いてこの前駆体を1300°C以上で加熱することによってB4C結晶体を得ることを特徴とする炭化ホウ素の製造方法。

Claim (excerpt)：

炭素源としての糖類とホウ素源としてのホウ酸または酸化ホウ素を溶媒中に溶解した後、該溶媒を除去して炭素源とホウ素源の混合粉末を形成し、該粉体を200°C〜1100°Cで加熱反応させてB-O-Cの結合体からなる非晶質体を生成させ、続いてこの前駆体を1300°C以上で加熱することによってB4C結晶体を得ることを特徴とする炭化ホウ素の製造方法。

F-Term (11)：

4G146MA16 ,  4G146MB02 ,  4G146MB18B ,  4G146NA05 ,  4G146NA11 ,  4G146NA21 ,  4G146NB02 ,  4G146NB06 ,  4G146NB18 ,  4G146PA03 ,  4G146PA13