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J-GLOBAL ID：200903011158295765

半導体記憶装置及びその動作方法

Inventor： 三浦 隆雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995020089
Publication number (International publication number)：1996213624
Application date： Feb. 08, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体記憶装置及びその動作方法に関し、電荷の保持時間を長くし、且つ、消去時間を大幅に短縮し、さらに、多値記憶を可能にする。【構成】 支持基板1上に絶縁膜2を介して設けられ、且つ、隣接する領域から完全に電気的に絶縁分離された厚さ0.1μm以上の複数の半導体島状領域3に夫々1つのMISFETを設け、且つ、MISFETのソース・ドレイン領域7,8とは反対導電型の電荷からなるデータ記憶のための電荷12をMISFETのソース・ドレイン領域間の電気的に浮遊した領域11に蓄積する。

Claim (excerpt)：

支持基板上に絶縁膜を介して設けられ、且つ、隣接する領域から完全に電気的に絶縁分離された厚さ0.1μm以上の複数の半導体島状領域に夫々1つのMISFETを設け、且つ、前記MISFETのソース・ドレイン領域と反対導電型の電荷からなるデータ記憶のための電荷を前記MISFETのソース・ドレイン領域間の電気的に浮遊した領域に蓄積することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 29/78 622 ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 613 A