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J-GLOBAL ID：200903011162979482

マッハツェンダ型光強度変調器バイアス電圧制御回路

Inventor： 芹澤 秀幸 ,  村田 淳
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995008663
Publication number (International publication number)：1996201742
Application date： Jan. 24, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】マッハツェンダ型光強度変調器を外部変調器として用いた光出力強度変調光送信器に使用でき、送信器のαパラメータの正負符号変換に伴う伝送信号の論理反転時でも、制御目標である光出力に対して複数存在する制御解の中から、常にαパラメータ正負符号変換入力に対応した発光論理となるよう一つの制御解に限定し、マッハツェンダ型光強度変調器出力光を安定に制御する。【構成】マッハツェンダ型光強度変調器5に印加するバイアス電圧値Vbの出力範囲を、発光論理決定電圧選択回路出力値を中心に、マッハツェンダ半周期電圧Vπの±1/2以下に設定したリミット回路1を、論理選択回路2とバイアス電圧印加回路3間に設けたマッハツェンダ型光強度変調器バイアス電圧制御回路。

Claim (excerpt)：

光強度変調素子とその光出力の分岐光を検出する受光器が内蔵された光強度変調器と、前記光強度変調器に入力する直流光を発光する直流光源モジュールと、前記光強度変調器を駆動し光強度変調を与えるマッハツェンダ駆動回路と、前記受光器により、前記光強度変調器の出力光の平均値を検出する平均光出力検出回路と、前記平均光出力検出回路の出力値と目標値とを比較してその偏差を補正するよう前記光強度変調器に印加するバイアス電圧値を決定するバイアス電圧制御回路と、バイアス電圧をマッハツェンダ型光強度変調器に印加するバイアス電圧印加回路と、伝送信号の発光論理を反転させ、光送信器のαパラメータの正負符号を変換するバイアス電圧をバイアス電圧印加回路を介して前記光強度変調器に印加する発光論理決定電圧選択回路と、伝送信号の発光論理が反転するとともに、バイアス電圧制御出力値の正負制御方向を自動的に反転させる論理選択回路とからなる光出力強度変調光送信器において、前記光強度変調器に印加するバイアス電圧値の出力範囲を、発光論理決定電圧選択回路出力値を中心に、マッハツェンダ半周期電圧Vπの±1/2以下に設定したリミット回路を、論理選択回路とバイアス電圧印加回路間に設けたことを特徴とするマッハツェンダ型光強度変調器バイアス電圧制御回路。