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J-GLOBAL ID：200903011181382225

成膜装置及びそれを用いた発光装置の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  小沼 利光 ,  福永 健司
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000358857
Publication number (International publication number)：2001223077
Application date： Nov. 27, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 信頼性の高いEL素子を形成しうる成膜装置を提供する。【解決手段】 スピンコータ等の液相成膜室109の成膜室内に周期表の1族または2族に属する元素からなる酸化剤209を設けた酸化セル205が設けられている。そして、酸化剤209が酸化されることによって雰囲気中の酸素が消費され雰囲気中の酸素濃度を1ppb以下に低減できる。これにより殆ど無酸素状態でEL素子を形成することができ、EL素子の信頼性が大幅に向上する。

Claim (excerpt)：

基板の搬入または搬出を行うストック室、前記基板を搬送する機構を含む搬送室及び前記搬送室にゲートを介して連結された液相成膜室を有し、前記液相成膜室には周期表の1族または2族に属する元素を酸化させる機構が備えられていることを特徴とする成膜装置。

IPC (2)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (2)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 熱電変換素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-118652   Applicant：松下電工株式会社