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J-GLOBAL ID：200903011207598027

半導体装置およびその製造方法およびその製造装置

Inventor： 石谷 明彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991223788
Publication number (International publication number)：1993063153
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】DRAMセルのキャパシタ用シリコン窒化膜の誘電率を上げ、信頼性を向上させる。【構成】下層電極となる多結晶シリコン膜6を従来より低い温度(800〜950°C)で熱窒化することにより、シリコンの酸化窒化膜7Bと下層電極の間に化学量論的組成を持つシリコン窒化膜7Aを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に順次形成され多結晶シリコン膜からなる下層電極と誘電体膜と多結晶シリコン膜からなる上層電極とから構成されるキャパシタを有する半導体装置において、前記誘電体膜は少くともシリコン窒化膜とシリコン酸化窒化膜とシリコン窒化膜との3層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  C23F 1/12 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-290050
  
• 特開昭62-002563
  
• 特開昭63-316465