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J-GLOBAL ID：200903011213330699

半導体製造装置

Inventor： 大森 孝
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992262053
Publication number (International publication number)：1994112137
Application date： Sep. 30, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラズマCVD法による成膜と、当該プラズマCVD法により得た膜に紫外光を照射する工程とを同一装置内で行うことが可能な半導体製造装置を提供する。【構成】複数のCVD成膜室1A〜1Dを備え、前記CVD成膜室の少なくとも一つに、前記堆積した膜に紫外光を照射する紫外光照射手段5及び加熱手段6を設置した。

Claim (excerpt)：

グロー放電により反応ガスを励起し、ウェハーを低温に保ったまま反応を生じさせ、当該ウェハー上に所望の膜を堆積する成膜室を少なくとも一つ備えた半導体製造装置において、前記成膜室の少なくとも一つに、前記堆積した膜に紫外光を照射する紫外光照射手段と、加熱手段と、を設置したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54