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J-GLOBAL ID:200903011216435203

圧力検出システム、静電容量型圧力センサ素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 沼形 義彰 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999307151
Publication number (International publication number):2001124649
Application date: Oct. 28, 1999
Publication date: May. 11, 2001
Summary:
【要約】【課題】 センサ素子を容器内部に取付ける際に、容器に孔等の加工を施す必要がなく、電池交換が必要でなく、そして、測定が容易な、圧力検出システム、静電容量型圧力センサ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイアフラム電極21及びダイアフラム部23を有するダイアフラム体2と検出電極3を有するシールキャップ体とを備える静電容量型圧力センサ素子において、受振発振コイル5を備える。受振発振コイル5は、センサ素子内部の静電容量とでセンサLC発振回路を構成する。ダイアフラム部23は錘部24を有する。
Claim (excerpt):
ダイアフラム電極及びダイアフラム部を有するダイアフラム体と検出電極を有するシールキャップ体とを備える静電容量型圧力センサ素子において、受振発振コイルを備えることを特徴とする静電容量型圧力センサ素子。
IPC (2):
G01L 9/12 ,  H01L 29/84
FI (2):
G01L 9/12 ,  H01L 29/84 Z
F-Term (18):
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055FF45 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  2F055HH19 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA31 ,  4M112CA32 ,  4M112DA09 ,  4M112DA18 ,  4M112EA11 ,  4M112GA03

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