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J-GLOBAL ID：200903011220627559

高密度プラズマ処理装置

Inventor： マノージュ・ダルヴィー ,  サトシ・ハマグチ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993002831
Publication number (International publication number)：1995022195
Application date： Jan. 11, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 閉じた処理チャンバ構造を有する高密度プラズマ処理装置を提供する。【構成】 プラズマ処理装置300は、閉じ込められた磁界線308を作るトロイダル磁界をプラズマ放電310に与える。これにより、磁界線に沿って通る磁化プラズマ電子が、チャンバ壁または隣接磁界線へ拡散するのを防止する。プラズマ処理装置は、複数のトロイダル・ソレノイド・コイル304内に設けられ、複数のプラズマ源領域306を有する構造を形成するプラズマ処理チャンバ302を備える。

Claim (excerpt)：

チャンバ壁によって定められる内部流路を有し、自らを閉じ込めているプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に、トロイダル磁界を発生させる手段と、前記プラズマ処理チャンバに連結され、前記プラズマ処理チャンバを所定の速度で真空にするポンプ手段と、前記プラズマ処理チャンバ内に含まれるプラズマ放電源を発生させる手段と、を備えることを特徴とする高密度プラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-001024
  
• 特開昭51-044972
  
• 特開平2-260399