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J-GLOBAL ID：200903011221676731
変調器付半導体レーザ装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993319364
Publication number (International publication number)：1995176827
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 従来よりも遷移領域の長さ(L)が短くなり、ON,OFF比の安定した光信号が得られる変調器付半導体レーザ装置を製造する製造方法を提供する。【構成】 チップ領域102を構成するN型InP基板1の、半導体レーザを形成すべき部分A上に、L字形状の一対の誘電体膜残部(マスク部)20a,20bを、光導波路部分を挟んで対向するよう形成し、該誘電体膜残部をマスクとして半導体結晶の選択成長を行って、組成の異なる半導体レーザの活性層と光変調器の光吸収層とをそれぞれ多重量子井戸層を含むよう形成し、その後、所定の処理を施して変調器付半導体レーザチップを作成する。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハの各チップ領域上に、所定パターンの誘電体膜をマスクとする半導体結晶の選択成長により、結晶組成の異なる第1及び第2の半導体領域を有する半導体層を形成する工程と、上記半導体層に所要の加工処理を施して、その第1の半導体領域に半導体レーザを、第2の半導体領域に、該半導体レーザからの出射レーザ光の強度変調を行う光変調器を形成する工程とを含み、上記選択成長の際マスクとなる上記誘電体膜は、半導体レーザの光導波路方向において隣合う2つのチップ領域における誘電体膜マスク部及び誘電体膜開口部の形状が該両チップ領域の境界線に対して線対称な形状となっていることを特徴とする変調器付半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (2)：
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