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J-GLOBAL ID：200903011251890428
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002153043
Publication number (International publication number)：2003347584
Application date： May. 27, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：
【要約】【課題】半導体発光素子の外部出力光の光軸方向の指向性を向上させる。【解決手段】p型層106の上にはSiO2から成る絶縁膜150が形成されており、その絶縁膜150の上及び絶縁膜150のぼぼ中央部に窓の開けられ露出したp型層106の上に、金属蒸着による金属膜である多重厚膜正電極120が形成さている。絶縁膜150の厚さは、発光波長の1/4に設定されている。絶縁膜150の厚さは、一般的には、この媒体内発光波長の1/4の奇数倍である。この時に干渉作用により光軸方向の放射光の指向性が向上する。
Claim (excerpt)：
基板側から光を出力する半導体発光素子において、発光層と、光反射性の金属膜と、前記発光層の非発光部と前記金属膜との間に存在する透光性の絶縁膜とを有し、前記金属膜は前記絶縁膜により前記発光層の発光部にのみ電流を供給するものであり、前記発光層と前記金属膜との間隔はその間隔の媒体内発光波長の1/4の奇数倍に設定されていることを特徴とする半導体発光素子。
F-Term (14)：
5F041AA06
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA82
, 5F041CB04
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041FF14
