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J-GLOBAL ID：200903011267322390

欠陥データ解析方法および検査装置並びにレビューシステム

Inventor： 渋谷 久恵 ,  高木 裕治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001292786
Publication number (International publication number)：2003059984
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体基板の製造工程において、検査装置によって検出された欠陥データに基づいて欠陥分布状態解析を行い、装置あるいはプロセス起因の不良原因の特定を容易にする。【解決手段】検査装置によって検出された欠陥位置座標に基づいて欠陥の分布状態を解析し、繰り返し欠陥、密集欠陥、線状分布欠陥、環・塊状分布欠陥、ランダム欠陥のうちいずれかの分布特徴カテゴリに分類する。

Claim (excerpt)：

基板上に回路パターンを形成する工程デ処理された被処理基板を検査して得られた欠陥の位置座標に基づいて、前記欠陥の分布特徴カテゴリを、繰り返し欠陥、密集欠陥、線状分布欠陥、環・塊状分布欠陥、ランダム欠陥のうちの少なくとも何れか1種類のカテゴリに分類することを特徴とする欠陥データ解析方法。

FI (3)：

H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 P

F-Term (10)：

4M106AA01 ,  4M106CA39 ,  4M106CA42 ,  4M106CA50 ,  4M106DA15 ,  4M106DB21 ,  4M106DH03 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-135195   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
• 異常原因特定システムおよびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-019537   Applicant：株式会社日立製作所