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J-GLOBAL ID：200903011267331801
発光ダイオードアレイ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993021276
Publication number (International publication number)：1994237015
Application date： Feb. 09, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ウェハ状態でも簡単に光量測定ができ、かつ発光領域に於て、加工による応力の少ない側面発光型の発光ダイオードアレイを提供するものである。【構成】 化合物半導体の基板と、基板の側面に露出しかつ基板の表面に整列して形成された複数の第1の発光領域と、第1の発光領域とオーミック接触されかつ基板の表面に形成された電極と、第1の発光領域と離れて基板の表面に形成された第2の発光領域とを設けるものである。
Claim (excerpt)：
化合物半導体の基板と、その基板の側面に露出しかつ基板の表面に整列して形成された複数の第1の発光領域と、その第1の発光領域とオーミック接触されかつ前記基板の表面に形成された電極と、前記第1の発光領域と離れて前記基板の表面に形成された第2の発光領域とを具備した事を特徴とする発光ダイオードアレイ。
IPC (4)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
Cited by examiner (6)
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