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J-GLOBAL ID：200903011269659081

集積回路記憶装置

Inventor： 齋藤 一郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992322335
Publication number (International publication number)：1994151746
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】情報を蓄積するためのコンデンサを必要とせず、情報を小面積の領域に蓄積可能であり、高集積度を達成し得る集積回路記憶装置を提供する。【構成】集積回路記憶装置は、情報書き込み部と情報読み出し部から成る。そして、情報読み出し部は、(イ)ホール効果を有する半導体層12と、(ロ)半導体層に電気的に接続された一対の情報検出部20と、(ハ)半導体層に電気的に接続された一対の検出用電流導入出部22、から成り、情報書き込み部は、一対の情報検出部20と一対の検出用電流導入出部22に囲まれた領域に形成されており、(ニ)半導体層の一方の面に対向しそして絶縁膜14を介して形成された垂直異方性磁性層16と、(ホ)垂直異方性磁性層と離間され且つ垂直異方性磁性層を囲むように設けられ、半導体層とは電気的に絶縁された情報書き込み領域18、から成る。

Claim (excerpt)：

情報書き込み部と情報読み出し部から成る集積回路記憶装置であって、情報読み出し部は、(イ)ホール効果を有する半導体層と、(ロ)該半導体層に電気的に接続された一対の情報検出部と、(ハ)該半導体層に電気的に接続され、一対の情報検出部を結ぶ線に関して対向して配置され、且つ一対の情報検出部と離間して設けられた一対の検出用電流導入出部、から成り、情報書き込み部は、前記一対の情報検出部と一対の検出用電流導入出部に囲まれた領域に形成されており、(ニ)前記半導体層の一方の面に対向しそして絶縁膜を介して形成された垂直異方性磁性層と、(ホ)該垂直異方性磁性層と離間され且つ垂直異方性磁性層を囲むように設けられ、前記半導体層とは電気的に絶縁された情報書き込み領域、から成ることを特徴とする集積回路記憶装置。

IPC (3)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/14 ,  H01L 43/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-177459
  
• 特開昭59-127287