Pat
J-GLOBAL ID：200903011272884207
有機EL発光素子の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996299744
Publication number (International publication number)：1998125472
Application date： Oct. 24, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 陰電極の成膜時に、低しきい値電圧で、しかもエレクトロンによる素子の構成膜へのダメージを与えない有機EL発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成された有機発光素子構造体上に、スパッタガスにKrおよび/またはXe、あるいはこれらとAr、HeおよびNeのうちの1種以上との混合ガスを用い、スパッタガスの動作圧力が10Pa以上のDCスパッタ法にて陰電極を成膜する有機EL発光素子の製造方法とした。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された有機EL発光素子構造体上に、スパッタガスにKrおよび/またはXeを用いるか、あるいはこれとAr、HeおよびNeのうちの1種以上との混合ガスを用い、スパッタ法にて陰電極を成膜する有機EL発光素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
