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J-GLOBAL ID：200903011279092357

共振装置およびその製造方法

Inventor： 早崎 嘉城 ,  松嶋 朝明 ,  吉原 孝明 ,  山内 規裕 ,  白井 健雄
Applicant, Patent owner： パナソニック電工株式会社
Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008245281
Publication number (International publication number)：2009100464
Application date： Sep. 25, 2008
Publication date： May. 07, 2009
Summary：

【課題】電気機械結合係数を低下させることなくQ値を向上させることが可能な共振装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】共振装置は、支持基板1と、支持基板1の一表面側に形成された下部電極31と、下部電極31における支持基板1側とは反対側に形成された圧電層32と、圧電層32における下部電極31側とは反対側に形成された上部電極33とを備える。圧電層32のうち下部電極31と上部電極33との両方に接している共振領域32aの周囲に当該共振領域32aに比べて硬度の低い低硬度領域32bを形成してある。圧電層32は、PZTにより形成されており、低硬度領域32bは、ポーラス化された領域により構成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持基板と、支持基板の一表面側に形成された下部電極と、下部電極における支持基板側とは反対側に形成された圧電層と、圧電層における下部電極側とは反対側に形成された上部電極とを備えた共振装置であって、圧電層のうち下部電極と上部電極との両方に接している共振領域の周囲に当該共振領域に比べて硬度の低い低硬度領域を形成してあることを特徴とする共振装置。

IPC (7)：

H03H 9/17 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/54 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (8)：

H03H9/17 F ,  H03H3/02 B ,  H03H9/54 Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z

F-Term (11)：

5J108AA07 ,  5J108BB04 ,  5J108BB08 ,  5J108CC04 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108FF05 ,  5J108KK01 ,  5J108KK07 ,  5J108MM11 ,  5J108NA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• バルク弾性波フィルタおよび不要な側波通過帯域を除去する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-066389   Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト