ハイブリッド結晶方位上の歪みシリコンCMOS

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005119125
Publication number (International publication number)：2005311367
Application date： Apr. 18, 2005
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】異なる結晶方位を有する基板上に形成された集積半導体デバイスを提供する。【解決手段】歪みSi含有ハイブリッド基板を形成する方法、および、この方法によって形成する歪みSi含有ハイブリッド基板を提供する。本発明の方法では、半導体材料、第2の半導体層、またはその双方の上に、歪みSi層を形成する。本発明によれば、歪みSi層は、再成長半導体層または第2の半導体層のいずれかと同じ結晶方位を有する。この方法は、デバイス層の少なくとも1つが歪みSiを含むハイブリッド基板を提供する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

歪みSi含有ハイブリッド基板を製造する方法であって、第1の結晶方位の第1の半導体層、前記第1の半導体層の表面上に配置した埋め込み絶縁層、前記埋め込み絶縁層上に配置し前記第1の結晶方位とは異なる第2の結晶方位の第2の半導体層を含むハイブリッド基板を設けるステップと、前記第1の半導体層の表面まで延在する開口を設けるステップと、半導体材料が前記第1の結晶方位を有し、前記第2の半導体層または前記再成長半導体材料の少なくとも1つの上にあるように歪みSi層が形成されることを条件として、前記開口内で前記第1の半導体層上に半導体材料を再成長させるステップであって、前記Si層が、前記下にある第2の半導体層または前記再成長半導体材料のものと一致する結晶方位を有する、ステップと、を有する、方法。

IPC (8)：

H01L21/8238 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (12)：

H01L27/08 321A , H01L21/20 , H01L27/08 331E , H01L27/12 B , H01L29/78 301Q , H01L27/08 321B , H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 627D , H01L29/78 613A , H01L29/78 620 , H01L29/78 301B

F-Term (83)：

5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA03 , 5F048BA04 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA20 , 5F048BD09 , 5F048BG06 , 5F048BG13 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN74 , 5F110NN78 , 5F110QQ02 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BA10 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BC13 , 5F140BC15 , 5F140CE20 , 5F152LL03 , 5F152LL04 , 5F152LL07 , 5F152LL12 , 5F152LM02 , 5F152LM03 , 5F152LP01 , 5F152MM04 , 5F152MM20 , 5F152NN02 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN05 , 5F152NN06 , 5F152NN07 , 5F152NN08 , 5F152NN11 , 5F152NN27 , 5F152NN29 , 5F152NN30 , 5F152NP02 , 5F152NP03 , 5F152NP04 , 5F152NP05 , 5F152NP06 , 5F152NP07 , 5F152NP13 , 5F152NP27 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-372166
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-135037 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-160221 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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