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J-GLOBAL ID：200903011303898597

シリコンウェーハを用いた半導体ウェーハ研磨加工の良否評価方法

Inventor： 元浦 久実 ,  志村 誠一
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997322108
Publication number (International publication number)：1999145088
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウェーハの鏡面研磨加工工程で導入された欠陥(微小スクラッチ)は、ウェーハの酸化膜耐圧を低下させる一因となるので、これを改善するため、鏡面研磨加工の良否評価方法を提供する。【解決手段】 この評価方法は、鏡面研磨加工を施した後SC-1洗浄を行ったエピタキシャルウェーハまたはFZ法によるシリコンウェーハに対し、HF洗浄を行う第1工程と、SC-1洗浄を行う第2工程と、前記シリコンウェーハの表面に存在するLPD(Light Point Defects) をパーティクルカウンタで測定する第3工程と、前記測定結果に基づいて鏡面研磨加工の良否を評価する第4工程とによって構成されている。

Claim (excerpt)：

鏡面研磨加工及び洗浄処理を施したエピタキシャルウェーハまたはFZ法によるシリコンウェーハを、HFで洗浄する第1工程と、SC-1洗浄液で洗浄する第2工程と、前記ウェーハの表面で検出されるLPD(Light Point Defects) の個数をパーティクルカウンタで測定する第3工程と、前記測定結果に基づいて鏡面研磨加工の良否を評価する第4工程とによって構成されていることを特徴とするシリコンウェーハを用いた半導体ウェーハ研磨加工の良否評価方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  G01N 1/32 ,  G01N 15/00 ,  H01L 21/66

FI (4)：

H01L 21/304 321 A ,  G01N 1/32 B ,  G01N 15/00 ,  H01L 21/66 L