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J-GLOBAL ID:200903011306140997

X線マスク並びにその製造方法および製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993233187
Publication number (International publication number):1995135157
Application date: Sep. 20, 1993
Publication date: May. 23, 1995
Summary:
【要約】【目的】 高精度なX線マスクの構造、製造方法および製作装置を得る。【構成】 X線吸収体が成膜された基板を加熱すると、基板材料と吸収体材料の熱膨張係数の差により、応力は、室温での成膜後のアニール開始前のX線吸収体の状態Aからアニール効果発現点Bに変化する。加熱温度をさらに上げると、点Bで、応力は直線A-Bから離れ出し、結晶構造の変化や吸収体膜中に取り込まれたガスの脱離などにより、アニール効果が発現される。目標とする状態は室温でのアニール完了時点点Dで、この点Dを求めるために、直線A-Bが求められた時点で、直線A-Bに平行で、かつ応力または応力と相関する物理量が零となる点Dを通る直線D-D’を予め求めておくことにより、点Bを過ぎた後も応力をモニタし、点Dを通り、直線A-Bに平行な直線D-D’と交差するアニール停止点Cに達した時点で、アニールを停止し、基板を室温まで冷却する。
Claim (excerpt):
X線吸収体を成膜した後、アニールによって膜応力を調整するX線マスクの製造方法において、X線吸収体が成膜された基板の温度上昇に伴う吸収体膜応力または応力に相関する物理量を連続計測し、その計測結果をもとにアニール完了温度を決定することを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (2):
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (22)
  • 特開昭62-142323
  • 特開平4-058516
  • 特開昭59-193455
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Cited by examiner (41)
  • 特開昭62-142323
  • 特開平4-058516
  • 特開昭59-193455
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