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J-GLOBAL ID：200903011311496007
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992095814
Publication number (International publication number)：1993267671
Application date： Mar. 23, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 遮光層および絶縁層をそれぞれ形成するために必要であった2回の膜堆積工程を簡略化する。【構成】 絶縁基体上に形成された遮光層上に半導体層が形成されている薄膜トランジスタを製造する方法において、絶縁基体上に金属を堆積して遮光層を形成、し、この遮光層の上層を酸化または窒化し、ついでこの酸化または窒化された表面上に前記半導体を堆積する。【効果】従来の堆積法により遮光層と半導体層の絶縁層とを別個の工程で形成する場合と比較して、熱酸化法により1度に大量の基体を一括処理できるようになり、製造コストが低減できる。
Claim (excerpt)：
絶縁基体上に形成された遮光層上に半導体層が形成されている薄膜トランジスタを製造する方法において、前記絶縁基体上に金属を堆積して遮光層を形成する工程と、前記遮光層の上層を酸化または窒化する工程と、この酸化または窒化された表面上に前記半導体を堆積する工程とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 27/14
H01L 29/78 311 N
, H01L 27/14 D
