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J-GLOBAL ID：200903011324256790

発光素子

Inventor： 井上 憲一 ,  横田 嘉宏 ,  橘 武史 ,  川上 信之 ,  林 和志 ,  宮田 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999056223
Publication number (International publication number)：2000252522
Application date： Mar. 03, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 原理的に他の半導体材料では達成することができない、300nm以下の短波長の発光が可能な発光素子を提供する。【解決手段】 高抵抗ダイヤモンド層と、この高抵抗ダイヤモンド層に接合され高抵抗ダイヤモンド層よりも抵抗が低い低抵抗ダイヤモンド層と、この低抵抗ダイヤモンド層に接合され不純物が添加されたダイヤモンド層と、高抵抗ダイヤモンド層における低抵抗ダイヤモンド層が接合されていない表面に形成された第1電極と、低抵抗ダイヤモンド層における高抵抗ダイヤモンド層が接合されていない表面に形成された第2電極と、ダイヤモンド層における低抵抗ダイヤモンド層に接合されていない表面に形成された第3電極と、を有し、第1電極は陰極であり、第3電極は陽極であり、第2電極は第1電極の電位と第3電極の電位との中間電位の電極である。

Claim (excerpt)：

高抵抗ダイヤモンド層と、この高抵抗ダイヤモンド層に接合され前記高抵抗ダイヤモンド層よりも抵抗が低い低抵抗ダイヤモンド層と、この低抵抗ダイヤモンド層に接合され不純物が添加されたダイヤモンド層と、前記高抵抗ダイヤモンド層における前記低抵抗ダイヤモンド層が接合されていない表面に形成された第1電極と、前記低抵抗ダイヤモンド層における前記高抵抗ダイヤモンド層が接合されていない表面に形成された第2電極と、前記ダイヤモンド層における前記低抵抗ダイヤモンド層に接合されていない表面に形成された第3電極と、を有し、前記第1電極は陰極であり、前記第3電極は陽極であり、前記第2電極は前記第1電極の電位と第3電極の電位との中間電位の電極であることを特徴とする発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 L ,  H01L 33/00 E

F-Term (8)：

5F041AA11 ,  5F041CA06 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA49 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA71