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J-GLOBAL ID：200903011329081653

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Inventor： 伊藤 辰雄 ,  山本 昌裕
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999197038
Publication number (International publication number)：2001023124
Application date： Jul. 12, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 再生ギャップ長を小さくし、高周波記録信号に対応し、記録密度の向上に有効な薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供する。【解決手段】 下部シールド層の上面及び電極リード層と磁気抵抗効果素子の上面に酸素プラズマ処理を行って酸化膜を被膜させた後、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層を成膜形成することによって、磁気抵抗効果素子の上下に位置する夫々の絶縁層の膜厚が小さくでき、全体として再生ギャップ長が小さくなり、高周波対応ができ、記録密度の向上に有効な薄膜磁気ヘッドが作製できる。

Claim (excerpt)：

軟磁性材料からなる下部シールド層と、前記下部シールド層の上に成膜された下部ギャップ絶縁層を介して積層形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両側に形成されたハードバイアス層と、前記ハードバイアス層及び一部の前記磁気抵抗効果素子の上に成膜された電極リード層と、前記電極リード層及び前記磁気抵抗効果素子の上に成膜された上部ギャップ絶縁層を介して形成された共通シールド層とを有し、且つ、前記下部シールド層の上面及び前記電極リード層と前記磁気抵抗効果素子の夫々の前記上部ギャップ絶縁層に接する上面の少なくともどちらか一方の上面を酸素プラズマ表面処理するか或いはどちらか一方の前記上面にAl金属膜を成膜した後に酸素又は窒素プラズマ処理するかのいずれかの処理後、前記下部ギャップ絶縁層及び前記上部ギャップ絶縁層が成膜されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

F-Term (8)：

5D034BA02 ,  5D034BA09 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034BB12 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07