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J-GLOBAL ID：200903011340143067

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  妹尾 雅之
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996267857
Publication number (International publication number)：1997107125
Application date： Feb. 10, 1993
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【目的】 発光出力を大きくする。【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板の上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型ドーパントをドープした低抵抗のp型窒化ガリウム系化合物半導体層を設けている。n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層に、n型電極とp型電極を接続している。p型電極は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層のほぼ全面に設けられる共に、アニーリングするときにp型窒化ガリウム系化合物半導体層から除去される水素ガスを透過させる微細な空隙のガス透過部を有する。p型電極は、アニーリング処理してp型窒化ガリウム系化合物半導体層に電気接続されている。

Claim (excerpt)：

基板の上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型ドーパントをドープして水素を含むp型窒化ガリウム系化合物半導体層とを有し、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層にn型電極が、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層にp型電極が接続されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、p型電極は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層のほぼ全面に設けられる共に、アニーリングするときにp型窒化ガリウム系化合物半導体層から除去される水素ガスを透過させる微細な空隙のガス透過部を有し、このp型電極が、アニーリング処理してp型窒化ガリウム系化合物半導体層に電気接続されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18