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J-GLOBAL ID:200903011341756534
CVD装置、CVD装置内の有害物質除去装置及び除去方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤村 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998355391
Publication number (International publication number):2000160344
Application date: Nov. 29, 1998
Publication date: Jun. 13, 2000
Summary:
【要約】【課題】 CVD装置内に付着し残留した有害物質が大気中の成分と反応して発生する有害ガスを、装置外部に漏らすことなく除去できる装置等を提供する。【解決手段】 CVD装置1内に付着し残留した物質であって大気中の水分と反応して有害ガスを発生する有害物質に、水分を含んだ空気を供給する手段(例えば空気供給ライン16)と、前記発生する有害ガスを外部に漏らさず処理するためのガス処理手段(例えばスクラバ17)とを設ける。
Claim (excerpt):
少なくとも反応管と、反応管内を排気するための排気用配管及び排気用ポンプを有するCVD装置であって、CVD装置内に付着し残留した物質であって大気中の水分と反応して有害ガスを発生する有害物質に、水分を含んだ気体を供給する手段と、前記発生する有害ガスを外部に漏らさず処理するためのガス処理手段とを有することを特徴とするCVD装置。
IPC (6):
C23C 16/455
, G03F 1/16
, H01L 21/205
, H01L 21/027
, B01D 53/46
, B01D 53/68
FI (6):
C23C 16/44 D
, G03F 1/16 A
, H01L 21/205
, H01L 21/30 531 M
, B01D 53/34 120 A
, B01D 53/34 134 A
F-Term (44):
2H095BA10
, 2H095BB25
, 2H095BB38
, 4D002AA19
, 4D002AA26
, 4D002AA40
, 4D002AB01
, 4D002BA15
, 4D002BA20
, 4D002CA20
, 4D002DA35
, 4D002EA08
, 4D002GA02
, 4D002GB02
, 4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030BA37
, 4K030CA04
, 4K030EA12
, 4K030FA10
, 4K030KA09
, 4K030KA10
, 4K030KA22
, 4K030KA39
, 4K030LA11
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AE17
, 5F045AE19
, 5F045AF03
, 5F045BB10
, 5F045BB20
, 5F045EB08
, 5F045EB10
, 5F045EC09
, 5F045EG08
, 5F045EJ01
, 5F045EJ09
, 5F046GD16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
特開平4-193955
-
特開平1-258433
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-357185
Applicant:株式会社東芝
-
フランジ装置及びこれを用いた横型プロセスチューブ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-172106
Applicant:ソニー株式会社
-
減圧CVD装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-276116
Applicant:ソニー株式会社
-
プロセス装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-303643
Applicant:日本電気株式会社
-
支持体付薄膜形成方法およびX線マスク製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-163910
Applicant:ホーヤ株式会社
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