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J-GLOBAL ID：200903011358562202

半導体装置

Inventor： 丹波 昭浩 ,  山田 一二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997252285
Publication number (International publication number)：1999097679
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【目的】 IGBTのゲート駆動電流IG を低減してゲート駆動回路の簡素化を図り、IGBTのコレクタ飽和コレクタ電流を低減して、IGBTの信頼性を向上させる半導体装置を提供する。【構成】 主IGBT1と補助IGBT2とがダーリントン接続され、補助IGBT2のゲートにゲート駆動電圧を供給し、主IGBT1をスイッチングオンまたはスイッチングオフする半導体装置において、主IGBT1の閾値電圧VTH1と補助IGBT2の閾値電圧VTH2 とを異ならせ、2つの閾値電圧VTH1 、VTH2 との間で、VTH1 >VTH2 になるように形成する。

Claim (excerpt)：

第1絶縁ゲートバイポーラトランジスタと第2絶縁ゲートバイポーラトランジスタとがダーリントン接続され、前記第2絶縁ゲートバイポーラトランジスタのゲートにゲート駆動電圧を供給し、前記第1絶縁ゲートバイポーラトランジスタをスイッチングオンまたはスイッチングオフする半導体装置において、前記第1絶縁ゲートバイポーラトランジスタの閾値電圧と前記第2絶縁ゲートバイポーラトランジスタの閾値電圧とが異なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H03K 17/56

FI (4)：

H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 656 G ,  H03K 17/56 Z