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J-GLOBAL ID：200903011363768900

青色感度の高い光感応性素子、光感応性素子の製造方法、および、光感応性素子の駆動方法

Inventor： フーベルト エニヒルマイアー ,  ヨッヘン クラフト ,  ベルンハルト レフラー ,  ゲラルト マインハルト ,  ゲオルク レーラー ,  エーヴァルト ヴァッハマン
Applicant, Patent owner： オーストリアマイクロシステムズ アクチエンゲゼルシャフト
Agent (8)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007555486
Publication number (International publication number)：2008530808
Application date： Jan. 31, 2006
Publication date： Aug. 07, 2008
Summary：

本発明は、高濃度にドープされた薄いエピタキシ層と低濃度にドープされた半導体基板との半導体接合領域を有する光感応性素子に関する。さらに、光入射窓の外側、エピタキシ層と半導体基板とのあいだに絶縁層が配置されている。本発明によれば、エピタキシ層の厚さは50nm未満であるので、光入射窓に入射する光量子の大部分は低濃度にドープされた半導体基板に吸収される。

Claim (excerpt)：

低濃度にドープされた半導体基板(SU)と、該半導体基板上に配置された絶縁層(IS)と、該絶縁層内に設けられた光入射窓(LF)と、光入射窓の領域内の半導体基板に第2の導電型のドープ物質でドープされた基板ウェル(SW)と、半導体基板の表面の少なくとも光入射窓にかかる領域に配置されたエピタキシ層(ES)とを含むボディを備えた光感応性素子において、 エピタキシ層は少なくとも上方の層領域では第1の導電型のドープ物質によって高濃度にドープされており、エピタキシ層とウェルドープ領域との半導体接合領域(UE)が設けられており、高濃度にドープされたエピタキシ層の層厚さは80nm未満である ことを特徴とする光感応性素子。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (9)：

5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MA11 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA12 ,  5F049QA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭64-031472